Защищены диссертации в 2011 году

1. Аль-Шатрави Али Джихад Гатеа (Катаа Али Дж.) «Кинетические процессы и оптическое излучение различных стадий импульсного пробоя в коротких перенапряженных промежутках в инертных газах высокого давления». Специальность 01.04.04 – физическая электроника.
2. Кобзев Олег Вадимович «Кинетические процессы формирования плазменных структур в поперечных наносекундных разрядах с полых катодом»Специальность 01.04.04 – физическая электроника.

Защищены диссертации в 2012 году

докторские:

1. Иминов Кади Османович «Кинетические процессы в поперечных наносекундных электрических разрядах с полым катодом». Специальность 01.04.04 – физическая электроника.

кандидатские:

1. Аль-Обайди Надир Джасим Мохамед «Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия». Специальность 01.04.04 – физическая электроника.

Защищены диссертации в 2013 году

1. Аль-Тхуаели Садек Али Мохаммед «Синтез тонких пленок оксида цинка методом магнетронного распыления при высоких скоростях роста». Специальность: 01.04.04 – физическая электроника.
2. Фадель Хайдер Кассим Фадель «Электронные и спиновые состояния низкоразмерных систем, взаимодействующих с адсорбированными атомами при наличии внешних электрического и магнитного полей». Специальности: 01.04.04 – физическая электроника и 01.04.02 – теоретическая физика.

Защищены диссертации в 2014 году

1. Али Рафик Мохамед Кассим «Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS1-x Se x  легированных рубидием». Специальность: 01.04.10 – физика полупроводников.
2. Табит Аднан Фареа Ахмед «Получение и свойства наноструктурированных материалов на основе BiFeO3 и YBa2Cu3O7-d». Специальность: 01.04.04 – физическая электроника.

Защищены диссертации в 2015 году

1. Шахсинов Гаджи Шабанович «Нестационарные кинетические процессы с участием метастабильных атомов инертных газов в плазменных волноводах». Специальность: 01.04.04 – физическая электроника.
2. Рамазанов Шихгасан Муфтялиевич «Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе». Специальность: 01.04.10 – физика полупроводников